Основные ссылки

CSS adjustments for Marinelli theme

РАШБА Эммануил Иосифович

РАШБА Эммануил ИосифовичРАШБА Эммануил ИосифовичРАШБА Эммануил Иосифович (р. 30.X.1927) – советский (украинский, российский) и американский физик. Р. в Киеве. Окончил физический факультет Киевского университета (1949). Ученик С.И. Пекара и А.С. Давыдова. В 1949-54 работал инженером и учителем в школе. В 1954-60 научный сотрудник в Институте физики АН УССР. С 1956 канд. физ.-мат. наук ("Теория сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки в молекулярных кристаллах"). В 1960-66 зав. отделом в Институте полупроводников АН УССР. В 1966-92 годах — заведующий теоретическим отделением отдела полупроводников Института теоретической физики имени Л. Д. Ландау. Одновременно в 1967-91 профессор МФТИ. Д-р физ.-мат. наук (1964, "Электронные свойства неметаллических кристаллов со сложным энергетическим спектром"), профессор (1967). С 1991 – в США. Работал в городском колледже Нью-Йорка, в Университете штата Юта (1992-99), в Университете штата Нью-Йорк в Буффало (2001-2004). В 2000-2004 работал в MIT. Одновременно в 2000-2003 – проф. Дартмутского колледжа, в 2007-10 – Резерфордовский проф. Ун-та в Лафборо, Великобритания. В 2004-15 – проф. Гарвардского ун-та. Чл. американского физического общества.
С К. Б. Толпыго развивал теорию переноса носителей тока в полупроводниках. Одним и важных результатов, полученных в этих работах, было построение вольтамперной характериститки выпрямляющих диодов и p-n-переходов в пределе больших смещений (ток пропорционален квадрату приложенного напряжения – т.н. «закон Рашбы-Толпыго-Носаря»).
РАШБА Эммануил ИосифовичЗанимался теоретическим изучением экситонов (кандидатская диссертация). 
Построил теорию слабо связанных локализованных экситонов.
Предсказал резонансный эффект, состоящий в возбуждении спиновых переходов ВЧ электрическим полем (эффект Рашбы). Работы по спин-орбитальному взаимодействию оказали значительное влияние на развитие физики полупроводников и гетероструктур, а его основная статья является одной из самых цитируемых до настоящего времени.
Установил возможность существования нового типа зонной структуры полупроводников.
С сотр. предсказал размерные эффекты, связанные с рекомбинационной длиной в биполярных материалах, с междолинной релаксационной длиной в многодолинных полупроводниках, с длиной остывания носителей разогретых электрическим полем и т.д., в частности, электрический пинч-эффект а анизотропных материалах – контролируемое полем накопление электронов и дырок у одной из поверхностей полупроводника.
Автор работ по спектроскопии молекулярных кристаллов.
В последние годы занимался проблемами спинтроники и физики наносистем.

Ленинская пр. (1966). Премия АН СССР им. А. Ф. Иоффе (1987). Премия С.И.Пекара (2007, Украина). Премия Н. Мотта (2005, Великобритания). Премия А.Аронова (2005, Израиль).

Сочинения:
Работы Э.И. Рашбы на портале Mart-Net.ru 

Информационные источники:
Э.И. Рашба